Semiconductor d'òxid en el vidre és el vidre i l'òxid inorgànic de semiconductors no-òxid (tal com sílice i òxid de bor) i els ions de metalls de transició (com ara el ferro, coure, molibdè, vanadi i crom) composició (per exemple, sofre, seleni, fòsfor , certs elements de diversos elements tel · luri, silici i germani, etc) semiconductors de vidre.
Es poden dividir en tres categories:
(1) com un element component principal dels semiconductors amorfs del Grup IV com ara el silici amorf, germani, etc;
(2) com a element principal component del semiconductor del Grup VI, tal com Et - Ge eutèctica, arsènic sofre, seleni, arsènic, etc;
(3) Vidre Oxide Semiconductor [1], com V2O5-P2O5, V2O5-P2O5-BaO agrada.
Vidre Semiconductor té una varietat de característiques. Si la resistivitat dels semiconductors de vidre sota certa llum, l'electricitat, la calor i així successivament es pot canviar 4-5 ordres de magnitud; certa transmitància cristall semiconductor, índex de refracció, la reflectivitat de la llum, l'efecte de la calor és molt variable; propietats químiques d'alguns gots de semiconductors (solubilitat, resistència a la corrosió), sota la llum, efecte de calor canvien significativament. Aquests canvis es deuen a les propietats del material sota la llum, l'electricitat, l'efecte de la calor, la composició, l'estructura, o un canvi en l'estat de l'electró. Amb les característiques anteriors es poden produir dispositius de memòria, materials d'enregistrament òptica, materials fotoconductors com ara material del tub de càmera de televisió de destinació superfície, materials de fotocopiat electrostàtiques i materials per cèl · lules solars, ús molt ampli.
|
